Name: IMDQ65R007M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ65R007M2HXUMA1TR-ND
Price: 28.8218 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMDQ65R007M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMDQ65R007M2HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMDQ65R007M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMDQ65R007M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMDQ65R007M2HXUMA1
Beschreibung	IMDQ65R007M2HXUMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 196A (Tc) 937W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMDQ65R007M2HXUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	196A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,1mOhm bei 146,3A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 29,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	179 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6359 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	937W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22-1
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul