Name: IMDQ75R004M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R004M2HXTMA1TR-ND
Price: 51.6579 EUR
Availability: OutOfStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMDQ75R004M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMDQ75R004M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMDQ75R004M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMDQ75R004M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMDQ75R004M2HXTMA1
Beschreibung	IMDQ75R004M2HXTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 840 V 357A (Tc) 1499W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMDQ75R004M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	840 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	357A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,2mOhm bei 170A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 57,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	342 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11844 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1499W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul