Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 1.2971 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPC50N04S55R8ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPC50N04S55R8ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 50 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-33
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPC50N04S55R8ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,8mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,4V bei 13µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1090 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-33
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	IPC50N