Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 5.8786 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB021N10NM5LF2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Beschreibung	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30A (Ta), 176A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2mOhm bei 100A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 280µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	17000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB