Name: IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5LFATMA1TR-ND
Price: 7.4732 EUR
Availability: InStock

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IPB048N15N5LFATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB048N15N5LFATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB048N15N5LFATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB048N15N5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB048N15N5LFATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 120 A (Tc) 313W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB048N15N5LFATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,9V bei 255µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 84 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 380 pF @ 75 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB048
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,8mOhm bei 100A, 10V