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N-Kanal 600 V 4,9 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA60R600P6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R600P6XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA60R600P6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 4,9 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R600P6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 200µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
557 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 2,4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (11)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOTF12T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1692-5-ND0,00000 ۀhnlich
PJMF580N60E1_T0_00001Panjit International Inc.1.9523757-PJMF580N60E1_T0_00001-ND1,40000 ۀhnlich
R6009KNXRohm Semiconductor76R6009KNX-ND2,48000 ۀhnlich
SIHF7N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHF7N60E-GE3-ND0,90310 ۀhnlich
STF11N60DM2STMicroelectronics1.322497-16960-ND2,00000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,86000 €1,86 €
500,89800 €44,90 €
1000,80420 €80,42 €
5000,63932 €319,66 €
1.0000,58629 €586,29 €
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Stückpreis mit MwSt.:2,21340 €