
STF11N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16960-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STF11N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STF11N60DM2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 614 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 25W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 420mOhm bei 5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPA60R600P6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R600P6XKSA1-ND | 1,86000 € | Ähnlich |
| IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 140 | IPA60R600P7SXKSA1-ND | 1,33000 € | Ähnlich |
| RJK6014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | 559-RJK6014DPP-A0#T2-ND | 4,42000 € | Ähnlich |
| SPA11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 1.613 | 448-SPA11N80C3XKSA1-ND | 2,96000 € | Ähnlich |
| TSM60NC620CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 3.965 | 1801-TSM60NC620CIC0G-ND | 2,47000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,00000 € | 2,00 € |
| 50 | 0,97220 € | 48,61 € |
| 100 | 0,87280 € | 87,28 € |
| 500 | 0,69810 € | 349,05 € |
| 1.000 | 0,68531 € | 685,31 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,00000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,38000 € |


