Name: IMW65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R050M2HXKSA1-ND
Price: 8.1277 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMW65R050M2HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMW65R050M2HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMW65R050M2HXKSA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 38 A (Tc) 153W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-40
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	38 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	46mOhm bei 18,2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 3,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	790 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	153W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-40
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IMW65R050

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	6,83000 €	6,83 €
30	3,97367 €	119,21 €
120	3,34533 €	401,44 €
510	3,03745 €	1.549,10 €

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