AUIRFZ48N Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

AUIRFZ48N ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AUIRFZ48N
DigiKey-Teilenr.	AUIRFZ48N-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AUIRFZ48N
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 69 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	69 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1900 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	160W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	AUIRFZ48