Name: DMNH6012SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6012SPSQ-13DITR-ND
Price: 2.2253 EUR
Availability: InStock

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DMNH6012SPSQ-13
DigiKey-Teilenr.	DMNH6012SPSQ-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMNH6012SPSQ-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMNH6012SPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMNH6012SPSQ-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	35.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1926 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMNH6012