Dioden 650 V 3A Durchkontaktierung TO-220F
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CDBJSC3650-G

DigiKey-Teilenr.
641-1939-ND
Hersteller
Comchip Technology
Hersteller-Teilenummer
CDBJSC3650-G
Beschreibung
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220F
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 3A Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Comchip Technology
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 3 A
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
190pF bei 0V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
CDBJSC3650
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Menge
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501,05420 €52,71 €
1000,94760 €94,76 €
5000,76030 €380,15 €
1.0000,70013 €700,13 €
2.0000,64951 €1.299,02 €
5.0000,61547 €3.077,35 €
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