600-V-GaN-FET-Leistungsstufen LMG3410R050/LMG3411R050

Mit den GaN-Leistungsstufen LMG3410R050 und LMG3411R050 von Texas Instruments mit integriertem Treiber und Schutz können Entwickler eine noch höhere Leistungsdichte und Effizienz in der Leistungselektronik erzielen. Die Komponenten bieten inhärente Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs, einschließlich einer extrem niedriger Ein- und Ausgangskapazität, einer nicht erforderlichen Umkehrerholung, um Schaltverluste um bis zu 80 % zu reduzieren, und eines geringen Schaltknoten-Klingelns zur EMI-Verringerung. Diese Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien wie die Totem-Pole-PFC.

Die Komponenten LMG3410R050 und LMG3411R050 bieten eine intelligente Alternative zu herkömmlichen Kaskoden-GaN und eigenständigen GaN-FETs, indem sie einzigartige Funktionen enthalten, die das Design vereinfachen, die Zuverlässigkeit maximieren und die Leistung jeder Stromversorgung optimieren. Ein integrierter Gate-Treiber ermöglicht das Schalten von 100 V/ns mit einem V_DS-Klingeln von annähernd Null, eine Strombegrenzung mit einer Reaktionszeit von weniger als 100 ns schützt vor unbeabsichtigten Durchschlägen, Übertemperaturabschaltung verhindert thermisches Durchgehen und Systemschnittstellensignale bieten eine Selbstüberwachungsfunktion.