Gallium-Nitrid(GaN)-Leistungsstufe LMG3410R070

Mit der GaN-Leistungsstufe LMG3410R070 von Texas Instruments mit integriertem Treiber und Schutz können Anwender noch mehr Leistungsdichte und Effizienz in der Leistungselektronik erzielen. Die LMG3410R070 bietet inhärente Vorteile gegenüber Silizium-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), einschließlich extrem niedriger Eingangs- und Ausgangskapazität, Umkehrerholung, um Schaltverluste um bis zu 80 % zu reduzieren, und geringem Schaltknoten-Klingeln zur Verringerung elektromagnetischer Interferenzen (EMI). Diese Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien einschließlich der Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

Die LMG3410R070 bietet eine intelligente Alternative zu herkömmlichen Kaskoden-GaNs und eigenständigen GaN-Feldeffekttransistoren (FETs), indem sie einzigartige Funktionen integriert, die das Design vereinfachen, die Zuverlässigkeit maximieren und die Leistung jeder Stromversorgung optimieren. Ein integrierter Gate-Treiber ermöglicht 100 V/ns-Schalten mit V_DS-Klingeln nahe Null, eine <100 ns-Strombegrenzung schützt vor unbeabsichtigten Durchschlagereignissen, Übertemperaturabschaltung verhindert thermisches Durchgehen, und Systemschnittstellensignale bieten eine Selbstüberwachungsfunktion.