Gallium-Nitrid(GaN)-Leistungsstufe LMG3410R070

Diese Endstufe von Texas Instruments maximiert die Zuverlässigkeit und optimiert die Performance jedes Netzteils

Bild der GaG-Leistungsstufe LMG3410R070 von Texas InstrumentsMit der GaN-Leistungsstufe LMG3410R070 von Texas Instruments mit integriertem Treiber und Schutz können Anwender noch mehr Leistungsdichte und Effizienz in der Leistungselektronik erzielen. Die LMG3410R070 bietet inhärente Vorteile gegenüber Silizium-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), einschließlich extrem niedriger Eingangs- und Ausgangskapazität, Umkehrerholung, um Schaltverluste um bis zu 80 % zu reduzieren, und geringem Schaltknoten-Klingeln zur Verringerung elektromagnetischer Interferenzen (EMI). Diese Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien einschließlich der Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

Die LMG3410R070 bietet eine intelligente Alternative zu herkömmlichen Kaskoden-GaNs und eigenständigen GaN-Feldeffekttransistoren (FETs), indem sie einzigartige Funktionen integriert, die das Design vereinfachen, die Zuverlässigkeit maximieren und die Leistung jeder Stromversorgung optimieren. Ein integrierter Gate-Treiber ermöglicht 100 V/ns-Schalten mit VDS-Klingeln nahe Null, eine <100 ns-Strombegrenzung schützt vor unbeabsichtigten Durchschlagereignissen, Übertemperaturabschaltung verhindert thermisches Durchgehen, und Systemschnittstellensignale bieten eine Selbstüberwachungsfunktion.

Merkmale
  • Ermöglicht Wandler-Designs mit hoher Leistungsdichte:
    • Überlegene Systemleistung gegenüber Kaskoden- oder eigenständigen GaN-FETs
    • Niederinduktives 8-x-8-mm-QFN-Gehäuse für einfaches Design und Layout
    • Einstellbare Antriebsstärke für Schaltleistung und EMI-Steuerung
    • Digitales Fehlerstatus-Ausgangssignal
    • Nur +12 V unregulierte Versorgung erforderlich
  • TI-GaN-Prozess qualifiziert durch beschleunigte, hochzuverlässige, hart schaltende Missionsprofile in der Anwendung
  • Komponentenoptionen: verriegelter Überstromschutz
  • Robuster Schutz:
    • Benötigt keine externen Schutzkomponenten
    • Überstromschutz mit <100 ns-Reaktion
    • Anstiegsgeschwindigkeit: >150 V/ns
    • Immunität gegen Überspannungstransienten
    • Übertemperaturschutz
    • Unterspannungsschutz (UVLO) auf allen Versorgungsschienen
  • Integrierter Gate-Treiber:
    • Null Common-Source-Induktivität
    • 20 ns Laufzeitverzögerung für MHz-Betrieb
    • Prozessabgestimmte Gate-Vorspannung für Zuverlässigkeit
    • Vom Benutzer einstellbare Anstiegsgeschwindigkeit: 25 V/ns bis 100 V/ns
Anwendungen
  • Industrie- und Verbrauchernetzgeräte mit hoher Dichte
  • Mehrfach-Wandler
  • Solar-Wechselrichter
  • Industrielle Motorantriebe
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
  • Hochspannung-Ladegeräte

LMG3410R070 GaN Power Stages

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungAusgangskonfigurationAnwendungenSchnittstelleVerfügbare MengeDetails anzeigen
PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVERLMG3410R070RWHTPWR MGMT MOSFET/PWR DRIVERHalbbrückeSynchrone AbwärtsreglerLogik494 - Sofort
945 - Lagerbestand des Herstellers
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Veröffentlicht: 2018-12-06