GaN-FET LMG3522R030

Der GaN-FET LMG3522R030 von Texas Instrumente verfügt über einen integrierten Treiber und Schutzfunktionen, die auf Schaltleistungswandler ausgerichtet sind und es ermöglichen, bestimmte Stufen der Leistungsdichte und des Wirkungsgrades zu erreichen. Der Leistungs-IC enthält einen Halbleiter-Treiber, der Schaltgeschwindigkeiten von bis zu 150 V/ns ermöglicht. Die integrierte präzise Gate-Vorspannung von TI führt im Vergleich zu diskreten Silizium-Gate-Treibern zu einem größeren sicheren Betriebsbereich beim Schalten. Diese Integration in Kombination mit dem niederinduktiven Gehäuse von TI sorgt für sauberes Schalten und minimales Klingeln in hart schaltenden Spannungsversorgungstopologien.

Die einstellbare Gate-Treiberstärke ermöglicht die Regelung der Anstiegsrate (20 V/ns bis 150 V/ns), wodurch elektromagnetische Störungen aktiv kontrolliert und die Schalt-Performance optimiert werden kann. Zu den erweiterte Leistungsmanagementfunktionen gehören die digitale Temperaturmeldung und Fehlererkennung. Die Temperatur des GaN-FET wird über einen PWM-Ausgang mit variablen Tastverhältnis gemeldet, was die Regelung der Belastung der Komponenten vereinfacht. Zu den gemeldeten Fehlern gehören Übertemperatur-, Überstrom- und Unterspannungsfehler.