Diskrete CoolSiC™-G2-1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs

Die CoolSiC-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) von Infineon basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess, der so optimiert ist, dass er sowohl die geringsten Verluste in einer Anwendung als auch die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb ermöglicht. Das diskrete CoolSiC-MOSFET-Portfolio ist in den Spannungsklassen 650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V und 2000 V erhältlich, mit Durchlasswiderständen von 7 mΩ bis 1000 mΩ. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz zur Implementierung anwendungsspezifischer Merkmale in die jeweiligen Produktportfolios, z. B. Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfähigkeit oder interne Body-Diode für harte Kommutierung.

Die diskreten CoolSiC-1200-V-G2-MOSFETs werden derzeit in drei verschiedenen Gehäusen angeboten, die alle auf den Stärken der Technologie der ersten Generation aufbauen und erhebliche Verbesserungen aufweisen, die eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme bieten. Die zweite Generation verbessert die wichtigsten Leistungsmerkmale sowohl für hart schaltende als auch für weich schaltende Topologien erheblich und ist für alle gängigen Kombinationen von AC/DC-, DC/DC- und DC/AC-Stufen geeignet.

Zwei 4-polige TO-247-Gehäusevarianten (das 4-polige Standard-TO-247-Gehäuse und ein 4-poliges TO-247-HC-Gehäuse) stehen den Kunden je nach ihren Designanforderungen zur Auswahl. Das 4-polige TO-247-Gehäuse bietet eine größere Kriechstrecke, dünne Signalleitungen und Kelvin-Pins zur Vermeidung von Lötbrücken sowie eine optimierte Fläche für das thermische Schnittstellenmaterial (TIM) für eine hervorragende Wärmeleistung. Das standardmäßige TO-247-4-Gehäuse ist mit den meisten auf dem Markt erhältlichen Gehäusen pin-kompatibel. Es sind auch Bauelemente im TO-263-7-Gehäuse (D²PAK-7L) erhältlich, die sich für Hochleistungsanwendungen eignen und für MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit ausgelegt sind. Das TO-263-7-Gehäuse bietet eine Kriech- und Luftstrecke von <7 mm und minimiert den Isolationsaufwand beim Platinendesign.

Das oberseitig gekühlte Q-DPAK läutet eine neue Ära in Sachen Kühlung, Energieeffizienz, Designflexibilität und Leistung ein und wurde speziell für den breiten Einsatz in industriellen Anwendungen entwickelt. Die CoolSiC-MOSFET-G2-Komponenten im Q-DPAK bieten Kunden reduzierte Systemkosten durch einfachere Montage und hervorragende thermische Leistung. Im Vergleich zu Lösungen mit Unterseitenkühlung ermöglichen Bauelemente mit Oberseitenkühlung ein optimiertes Platinenlayout, wodurch die Auswirkungen von parasitären Bauteilen und Streuinduktivitäten reduziert und gleichzeitig ein verbessertes Wärmemanagement erreicht wird. Das Q-DPAK-Gehäuse ist sowohl als Dual-Halbbrücken- als auch als Einzelschalter-MOSFET erhältlich.

Das SiC-Referenzdesign REF-DR3KIMBGSIC2MA besteht aus zwei Platinen, darunter eine Treiberschaltung und ein 3-Phasen-Wechselrichter für Servomotoren und Antriebe. Zu den Vorteilen gehören die hohe Leistungsdichte, die passive Kühlung ohne Kühlgebläse und ein extrem kleiner Footprint mit einem Durchmesser der Platine von nur 110 mm. Klicken Sie hier, um Zugang zur Infineon-spezifischen Referenzdesign-Bibliothek zu erhalten.