Neues Produkt
IMZC120R022M2HXKSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZC120R022M2HXKSA1

IMZC120R026M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZC120R026M2HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 69 A (Tc) 289W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZC120R026M2HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 27A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 8,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1990 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
289W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-17
Gehäuse / Hülle
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