Name: IMBG120R181M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND
Price: 5.4264 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG120R181M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG120R181M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG120R181M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG120R181M2HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 14,9 A (Tc) 94W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	14,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	181,4mOhm bei 3,9A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,1V bei 1,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.7 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	350 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-12
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	IMBG120R181