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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZC120R022M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZC120R022M2HXKSA1 |
Beschreibung | SICFET N-CH 1200V 80A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMZC120R022M2HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 22mOhm bei 32A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,1V bei 10,1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 71 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +23V, -7V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2330 pF @ 800 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 329W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-4-17 | |
Gehäuse / Hülle |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 13,21000 € | 13,21 € |
| 30 | 8,13067 € | 243,92 € |
| 120 | 7,20183 € | 864,22 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 13,21000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 15,71990 € |
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