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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RD3L050SNFRATL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RD3L050SNFRATL Datasheet RD3L050SNFRATL - Rohm Semiconductor RD3L050SNFRATLTR-ND RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 5A TO252 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
€0,54348 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 5 A (Ta) 4V, 10V 109mOhm bei 5A, 10V 3V bei 1mA 8nC @ 10V ±20V 290pF @ 10V
-
15W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3L050SNFRATL Datasheet RD3L050SNFRATL - Rohm Semiconductor RD3L050SNFRATLCT-ND RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 5A TO252 29 - Sofort Verfügbar: 29 €1,27000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 5 A (Ta) 4V, 10V 109mOhm bei 5A, 10V 3V bei 1mA 8nC @ 10V ±20V 290pF @ 10V
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15W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3L050SNFRATL Datasheet RD3L050SNFRATL - Rohm Semiconductor RD3L050SNFRATLDKR-ND RD3L050SNFRATL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 5A TO252 29 - Sofort Verfügbar: 29 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 5 A (Ta) 4V, 10V 109mOhm bei 5A, 10V 3V bei 1mA 8nC @ 10V ±20V 290pF @ 10V
-
15W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
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11:03:16 10.24.2021