
C3M0025065D | |
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DigiKey-Teilenr. | 1697-C3M0025065D-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | C3M0025065D |
Beschreibung | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 97 A (Tc) 326W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | C3M0025065D Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 34mOhm bei 33,5A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,6V bei 9,22mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 108 nC @ 15 V | |
Vgs (Max.) | +19V, -8V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2980 pF @ 600 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 326W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | 17,98000 € | 17,98 € |
30 | 11,29233 € | 338,77 € |
120 | 9,83042 € | 1.179,65 € |
510 | 9,66510 € | 4.929,20 € |
Stückpreis ohne MwSt.: | 17,98000 € |
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Stückpreis mit MwSt.: | 21,39620 € |