N-Kanal 650 V 97 A (Tc) 326W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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C3M0025065D

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0025065D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0025065D
Beschreibung
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 97 A (Tc) 326W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 9,22mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
108 nC @ 15 V
Serie
Vgs (Max.)
+19V, -8V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2980 pF @ 600 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
326W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
34mOhm bei 33,5A, 15V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
112,17000 €12,17 €
307,38000 €221,40 €
1206,33108 €759,73 €
5105,71967 €2.917,03 €
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