C3M0015065K
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

C3M0015065K

DigiKey-Teilenr.
1697-C3M0015065K-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C3M0015065K
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 120 A (Tc) 416W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
21mOhm bei 55,8A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 15,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
188 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+15V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5011 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
416W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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