C2M1000170D

DigiKey-Teilenr.
C2M1000170D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C2M1000170D
Beschreibung
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 4,9 A (Tc) 69W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C2M1000170D Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,1Ohm bei 2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
191 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Verfügbar bis: 01.04.2025
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1205,92525 €711,03 €
5105,62753 €2.870,04 €
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