C2D10120D
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

C2M0025120D

DigiKey-Teilenr.
C2M0025120D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
C2M0025120D
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 90 A (Tc) 463W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
C2M0025120D Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
34mOhm bei 50A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
161 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2788 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
463W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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