SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
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SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
200-TFBGA
Winbond AI Solutions

W66AP6NBQAGJ

DigiKey-Teilenr.
256-W66AP6NBQAGJ-ND
Hersteller
Winbond Electronics
Hersteller-Teilenummer
W66AP6NBQAGJ
Beschreibung
IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.867 GHz 3.6 ns 200-TFBGA (10x14,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Winbond Electronics
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Speichertyp
Flüchtig
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße
1Gbit
Speicherorganisation
64M x 16
Speicherschnittstelle
LVSTL_11
Taktfrequenz
1.867 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
18ns
Zugriffszeit
3.6 ns
Spannung - Versorgung
1,06V bis 1,17V, 1,7V bis 1,95V
Betriebstemperatur
-40°C bis 105°C (TC)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
200-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
200-TFBGA (10x14,5)
Basis-Produktnummer
W66AP6
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