DRAM Speicher

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Von DigiKey programmierbar	Speichertyp	Speicherformat	Technologie	Speichergröße	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Taktfrequenz	Schreibzykluszeit - Wort, Seite	Zugriffszeit	Spannung - Versorgung	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
IS42S16100H-7TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	3.858 Vorrätig	1 : 1,26000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	16Mbit	1M x 16	Parallel	143 MHz	-	5.5 ns	3V bis 3,6V	-40°C bis 85°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	50-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	50-TSOP II
W9751G6NB-25 IC DRAM 512MBIT PAR 84VFBGA Winbond Electronics	14.737 Vorrätig	1 : 1,40000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR2	512Mbit	32M x 16	Parallel	400 MHz	15ns	57.5 ns	1,7V bis 1,9V	0°C bis 85°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	84-VFBGA	84-VFBGA (8x12,5)
W9864G6KH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	628 Vorrätig	1 : 1,44000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	64Mbit	4M x 16	Parallel	166 MHz	-	5 ns	3V bis 3,6V	0°C bis 70°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II Winbond Electronics	119 Vorrätig	1 : 1,61000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	128Mbit	8M x 16	LVTTL	166 MHz	-	5 ns	3V bis 3,6V	0°C bis 70°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
W9825G6KH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	530 Vorrätig	1 : 1,96000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	256Mbit	16M x 16	Parallel	166 MHz	-	5 ns	3V bis 3,6V	0°C bis 70°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
W9825G6KH-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	1.075 Vorrätig	1 : 2,04000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 1,62774 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	256Mbit	16M x 16	Parallel	200 MHz	-	5 ns	3V bis 3,6V	0°C bis 70°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics	1.184 Vorrätig	1 : 2,47000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 1,75876 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	256Mbit	16M x 16	Parallel	166 MHz	-	5 ns	3V bis 3,6V	-40°C bis 85°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	2.591 Vorrätig	1 : 2,74000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	64Mbit	4M x 16	Parallel	166 MHz	-	5.4 ns	3V bis 3,6V	-40°C bis 85°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
MT41J128M16JT-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.	3.228 Vorrätig	1 : 2,76000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 2,13738 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3	2Gbit	128M x 16	Parallel	800 MHz	-	13.75 ns	1,425V bis 1,575V	0°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT41K128M16JT-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.	2.028 Vorrätig	1 : 2,76000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 2,13738 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3L	2Gbit	128M x 16	Parallel	800 MHz	-	13.75 ns	1,283V bis 1,45V	0°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT41K128M16JT-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.	1.277 Vorrätig	1 : 2,76000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3L	2Gbit	128M x 16	Parallel	800 MHz	-	13.75 ns	1,283V bis 1,45V	0°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.	6.113 Vorrätig	1 : 2,79000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3L	2Gbit	256M x 8	Parallel	800 MHz	-	13.75 ns	1,283V bis 1,45V	0°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	78-TFBGA	78-FBGA (8x10,5)
W971GG6NB25I IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA Winbond Electronics	2.925 Vorrätig	1 : 2,79000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR2	1Gbit	64M x 16	SSTL_18	800 MHz	15ns	57.5 ns	1,7V bis 1,9V	-40°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	84-TFBGA	84-TFBGA (8x12,5)
IS43DR16320E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	875 Vorrätig	1 : 2,82000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR2	512Mbit	32M x 16	Parallel	400 MHz	15ns	400 ps	1,7V bis 1,9V	0°C bis 85°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	84-TFBGA	84-TWBGA (8x12,5)
AS4C8M16SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.	3.215 Vorrätig	1 : 2,83000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	128Mbit	8M x 16	Parallel	166 MHz	12ns	5 ns	3V bis 3,6V	-40°C bis 85°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
AS4C32M16D2A-25BIN IC DRAM 512MBIT PAR 84TFBGA Alliance Memory, Inc.	17.365 Vorrätig	1 : 3,04000 € Tablett	-	Tablett	Nicht für Neukonstruktionen	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR2	512Mbit	32M x 16	Parallel	400 MHz	15ns	400 ps	1,7V bis 1,9V	-40°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	84-TFBGA	84-FBGA (8x12,5)
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc.	1.611 Vorrätig	1 : 3,10000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	64Mbit	4M x 16	Parallel	166 MHz	-	5.4 ns	3V bis 3,6V	-40°C bis 85°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TFBGA	54-TFBGA (8x8)
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	684 Vorrätig	1 : 3,16000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR	256Mbit	16M x 16	Parallel	166 MHz	15ns	700 ps	2,3V bis 2,7V	-40°C bis 85°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	66-TSSOP (0,400", 10,16mm Breite)	66-TSOP II
AS4C8M16SA-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA Alliance Memory, Inc.	3.598 Vorrätig	1 : 3,18000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	128Mbit	8M x 16	Parallel	143 MHz	14ns	5.4 ns	3V bis 3,6V	0°C bis 70°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TFBGA	54-TFBGA (8x8)
IS42S16160J-7TLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	4.376 Vorrätig	1 : 3,19000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	256Mbit	16M x 16	Parallel	143 MHz	-	5.4 ns	3V bis 3,6V	-40°C bis 85°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)	54-TSOP II
IS43TR16640C-125JBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	1.167 Vorrätig	1 : 3,19000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3	1Gbit	64M x 16	Parallel	800 MHz	15ns	20 ns	1,425V bis 1,575V	0°C bis 85°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	96-TFBGA	96-TWBGA (9x13)
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA Micron Technology Inc.	1.325 Vorrätig	1 : 3,28000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gbit	512M x 8	Parallel	933 MHz	-	20 ns	1,283V bis 1,45V	0°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	78-TFBGA	78-FBGA (8x10,5)
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.	1.007 Vorrätig	1 : 3,28000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM	64Mbit	2M x 32	Parallel	166 MHz	2ns	5.5 ns	3V bis 3,6V	0°C bis 70°C (TA)	-	-	Oberflächenmontage	86-TFSOP (0,400", 10,16mm Breite)	86-TSOP II
MT41K256M16TW-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : 3,28000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gbit	256M x 16	Parallel	933 MHz	-	20 ns	1,283V bis 1,45V	0°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)
MT41K256M16TW-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.	864 Vorrätig	1 : 3,31000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Nicht verifiziert	Flüchtig	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gbit	256M x 16	Parallel	1.066 GHz	-	20 ns	1,283V bis 1,45V	0°C bis 95°C (TC)	-	-	Oberflächenmontage	96-TFBGA	96-FBGA (8x14)

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Bei Speicher handelt es sich um Halbleiterkomponenten, die in integrierten Schaltungen als Datenspeicherelement verwendet werden. Diese Komponenten sind in verschiedenen Formaten verfügbar: CBRAM, DRAM, EEPROM, EERAM, EPROM, Flash, FRAM, NVSRAM, PCM (PRAM), PSRAM, RAM und SRAM (nicht flüchtig oder flüchtig). Sie bieten eine Speichergröße von 64 Bit bis 6 Terabit und folgende Schnittstellen: I2C, MMC, parallel, eMMC, Serial, Single Wire, SPI, UFS, Xccela Bus und 1-Wire.

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