SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 100-VFBGA (10x7,5)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 100-VFBGA (10x7,5)
Winbond AI Solutions

W66AP6NBHAFJ

DigiKey-Teilenr.
256-W66AP6NBHAFJ-ND
Hersteller
Winbond Electronics
Hersteller-Teilenummer
W66AP6NBHAFJ
Beschreibung
IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR4 Speicher IC 1Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 100-VFBGA (10x7,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Winbond Electronics
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Speichertyp
Flüchtig
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße
1Gbit
Speicherorganisation
64M x 16
Speicherschnittstelle
LVSTL_11
Taktfrequenz
1.6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
18ns
Zugriffszeit
3.6 ns
Spannung - Versorgung
1,06V bis 1,17V, 1,7V bis 1,95V
Betriebstemperatur
-40°C bis 105°C (TC)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
100-VFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
100-VFBGA (10x7,5)
Basis-Produktnummer
W66AP6
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