SQM120P04-04L_GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUM90100E-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SUM90100E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SUM90100E-GE3
Beschreibung
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Standardlieferzeit des Herstellers
33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 150 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
7,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11,4mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3930 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
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102,83300 €28,33 €
1002,01740 €201,74 €
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1.6001,55768 €2.492,29 €
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