Name: SQM110P06-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND
Price: 4.2959 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQM110P06-8M9L_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQM110P06-8M9L_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQM110P06-8M9L_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQM110P06-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQM110P06-8M9L_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 110 A (Tc) 230W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQM110P06-8M9L_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,9mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7450 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SQM110