Name: SQA410CEJW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQA410CEJW-T1_GE3TR-ND
Price: 0.7021 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQA410CEJW-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQA410CEJW-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQA410CEJW-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQA410CEJW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQA410CEJW-T1_GE3
Beschreibung	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 7,8 A (Tc) 13,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	525 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	13,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)