Name: SQ3426CEV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ3426CEV-T1_GE3TR-ND
Price: 0.833 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQ3426CEV-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQ3426CEV-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQ3426CEV-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQ3426CEV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ3426CEV-T1_GE3
Beschreibung	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 7 A (Tc) 5W (Tc) Oberflächenmontage 6-TSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQ3426CEV-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	42mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	790 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-TSOP
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)