Name: SQ1470AEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.8806 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQ1470AEH-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQ1470AEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ1470AEH-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,7 A (Tc) 3,3W (Tc) Oberflächenmontage SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQ1470AEH-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	65mOhm bei 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,6V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	450 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-70-6
Gehäuse / Hülle	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Produktnummer	SQ1470