
SISS65DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SISS65DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 19 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 30 V 25,9 A (Ta), 94 A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SISS65DN-T1-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 4,6mOhm bei 15A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,3V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 138 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4930 pF @ 15 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PowerPAK® 1212-8S | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | 1,11000 € | 1,11 € |
10 | 0,69700 € | 6,97 € |
100 | 0,46050 € | 46,05 € |
500 | 0,35874 € | 179,37 € |
1.000 | 0,32597 € | 325,97 € |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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3.000 | 0,28437 € | 853,11 € |
6.000 | 0,26343 € | 1.580,58 € |
9.000 | 0,25277 € | 2.274,93 € |
15.000 | 0,24608 € | 3.691,20 € |
Stückpreis ohne MwSt.: | 1,11000 € |
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Stückpreis mit MwSt.: | 1,32090 € |