Name: SISS65DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS65DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3209 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS65DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS65DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 25,9 A (Ta), 94 A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS65DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25,9 A (Ta), 94 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,6mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4930 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer	SISS65