Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4518 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS61DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS61DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS61DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30,9A (Ta), 111,9A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,5mOhm bei 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	231 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8740 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 65,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer	SISS61