Name: SISS5112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7255 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS5112DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISS5112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS5112DN-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 11A (Ta), 40,7A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS5112DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11A (Ta), 40,7A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,9mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	790 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer	SISS5112