Name: SISS05DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS05DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8445 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS05DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISS05DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISS05DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISS05DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS05DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 29,4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS05DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29,4A (Ta), 108A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+16V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4930 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 65,7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer	SISS05