Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9758 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISH615ADN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISH615ADN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SH
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22,1A (Ta), 35A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,4mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	183 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5590 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8SH
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8SH
Basis-Produktnummer	SISH615