Name: SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISD5300DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.3324 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISD5300DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISD5300DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISD5300DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISD5300DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISD5300DN-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 62A (Ta), 198A (Tc) 5,4W (Ta), 57W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-F
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	62A (Ta), 198A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,87mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5030 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5,4W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-F
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-F