
SIS412DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIS412DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 30 V 12 A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIS412DN-T1-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 24mOhm bei 7,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 435 pF @ 15 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 0,82000 € | 0,82 € |
| 10 | 0,51300 € | 5,13 € |
| 100 | 0,33400 € | 33,40 € |
| 500 | 0,25690 € | 128,45 € |
| 1.000 | 0,23204 € | 232,04 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,20047 € | 601,41 € |
| 6.000 | 0,18456 € | 1.107,36 € |
| 9.000 | 0,17646 € | 1.588,14 € |
| 15.000 | 0,16736 € | 2.510,40 € |
| 21.000 | 0,16197 € | 3.401,37 € |
| 30.000 | 0,16194 € | 4.858,20 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 0,82000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 0,97580 € |









