Name: SIS322DNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS322DNT-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8687 EUR
Availability: InStock

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SIS322DNT-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SIS322DNT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS322DNT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS322DNT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SIS322DNT-T1-GE3
cms-description	MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
cms-standard-lead-time	22 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 30 V 38,3 A (Tc) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	38,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1000 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer	SIS322