Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.3796 EUR
Availability: OutOfStock

SIR681DP-T1-RE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Rohm Semiconductor

Vorrätig: 3.659

Stückpreis : 1,38000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR681DP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIR681DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR681DP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIR681DP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,6A (Ta), 71,9A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,2mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4850 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIR681