Name: SIR680LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR680LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.7608 EUR
Availability: InStock

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SIR680LDP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR680LDP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIR680LDP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIR680LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR680LDP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 31,8A (Ta), 130A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIR680LDP-T1-RE3 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31,8A (Ta), 130A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,8mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7250 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIR680

Stückpreis ohne MwSt.:	2,32000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,76080 €