Name: SIR5708DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5708DP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.2253 EUR
Availability: InStock

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SIR5708DP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR5708DP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIR5708DP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIR5708DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR5708DP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 9,5A (Ta), 33,8A (Tc) 5,2W (Ta), 65,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIR5708DP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23mOhm bei 10A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 975 pF @ 75 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5,2W (Ta), 65,7W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,5A (Ta), 33,8A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8