Name: SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJA22DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9873 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIJA22DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJA22DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJA22DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJA22DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJA22DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 64A (Ta), 201A (Tc) 4,8W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIJA22DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	64A (Ta), 201A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,74mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6500 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	4,8W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIJA22