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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHU5N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHU5N80AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHU5N80AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA |
Standardlieferzeit des Herstellers | 25 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 4,4 A (Tc) 62,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-251AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,35Ohm bei 1,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 321 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 62,5W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-251AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 2.870
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,49000 € | 1,49 € |
| 10 | 0,94700 € | 9,47 € |
| 100 | 0,63430 € | 63,43 € |
| 500 | 0,50042 € | 250,21 € |
| 1.000 | 0,45736 € | 457,36 € |
| 3.000 | 0,40269 € | 1.208,07 € |
| 6.000 | 0,37518 € | 2.251,08 € |
| 12.000 | 0,37010 € | 4.441,20 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,49000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,77310 € |
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