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SIHB6N65E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB6N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB6N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 820 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263 (D2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,28000 € | 2,28 € |
| 10 | 1,46900 € | 14,69 € |
| 100 | 1,00830 € | 100,83 € |
| 500 | 0,81102 € | 405,51 € |
| 1.000 | 0,74763 € | 747,63 € |
| 2.000 | 0,69434 € | 1.388,68 € |
| 5.000 | 0,66480 € | 3.324,00 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,28000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,71320 € |
Deutschland