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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

FCB20N60FTM
onsemi
Vorrätig: 1.480
Stückpreis : 5,14000 €
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onsemi
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Vorrätig: 5.379
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Vorrätig: 4.524
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Vorrätig: 925
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TO-263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB22N65E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHB22N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHB22N65E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
22 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2415 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB22
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