Name: SIHB100N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB100N60E-GE3-ND
Price: 6.0452 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHB100N60E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHB100N60E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHB100N60E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1851 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SIHB100

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 938

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	5,08000 €	5,08 €
50	2,67960 €	133,98 €
100	2,44750 €	244,75 €
500	2,04124 €	1.020,62 €
1.000	1,96708 €	1.967,08 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.