Name: SIDR608DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR608DP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.046 EUR
Availability: InStock

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SIDR608DP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR608DP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR608DP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR608DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR608DP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 45 V 51A (Ta), 208A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 167 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) +20V, -16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8900 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 51A (Ta), 208A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIDR608
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,2mOhm bei 20A, 10V

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
3.000	1,06493 €	3.194,79 €
6.000	1,04973 €	6.298,38 €

Standardverpackung des Herstellers

Stückpreis ohne MwSt.:	3,40000 €
Stückpreis mit MwSt.:	4,04600 €

SIDR608DP-T1-RE3