Name: SIAA02DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8806 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIAA02DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIAA02DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIAA02DJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22A (Ta), 52A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,7mOhm bei 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,6V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+12V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1250 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer	SIAA02

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