Name: SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA413DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4875 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIA413DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA413DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA413DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA413DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA413DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	29mOhm bei 6,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	57 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1800 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer	SIA413